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東芯股份11月1日披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示，PSRAM第一顆256Mb的產(chǎn)品已經(jīng)送給客戶在測(cè)試中了，這個(gè)產(chǎn)品的時(shí)間流程還是符合我們預(yù)期的規(guī)劃的。公司現(xiàn)在開(kāi)發(fā)的PSRAM是基于38nm工藝開(kāi)發(fā)的，公司現(xiàn)在在PSRAM的客戶基礎(chǔ)上具有一定優(yōu)勢(shì)，客戶可以用公司的SLCNAND，也可以用今后開(kāi)發(fā)的PSRAM。PSRAM我們目前我們看到應(yīng)用場(chǎng)景主要還是在智能穿戴類的產(chǎn)品上面使用，預(yù)計(jì)我們今年可以提供樣品。

公司我們目前使用的是ETOX工藝，NOR目前量產(chǎn)的已經(jīng)有包括65nm的工藝和48nm的工藝。容量從64Mb到512Mb，明年會(huì)有堆疊的1GB的產(chǎn)品。512Mb的NOR預(yù)計(jì)今年下半年開(kāi)始出樣，對(duì)于這類中高容量的NOR，主要的市場(chǎng)還是在工業(yè)以及服務(wù)器等。我們今年已將開(kāi)始量產(chǎn)48nm的NOR，還是繼續(xù)向中高容量發(fā)展。128Mb、256Mb的NOR還是消費(fèi)類客戶做制程替換。中高容量相對(duì)會(huì)有溢價(jià)，今年會(huì)出512Mb的樣品，明年會(huì)有1Gb的產(chǎn)品，主要使用在工業(yè)類產(chǎn)品。

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