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開設(shè)Runset課程的講師要求同時(shí)具備4個(gè)條件，具有Runset開發(fā)經(jīng)驗(yàn)5年以上；具有DRC/LVS/RCX的EDA軟件開發(fā)經(jīng)驗(yàn)5年以上；具有Runset的QA驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)5年以上；具有與多個(gè)foundry合作開發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)滿足上述多個(gè)條件的國(guó)內(nèi)講師人數(shù)很少，本課程講師符合上述條件。

微電子及非微電子都可以學(xué)習(xí)

目前，國(guó)內(nèi)IC公司對(duì)Runset開發(fā)和QA有需求的公司主要分為2大類：第一類是Foundry內(nèi)部的Runset團(tuán)隊(duì)，需要招聘合適的工程師進(jìn)行該項(xiàng)工作。第二類是Fabless設(shè)計(jì)公司，他們需要對(duì)Foundry提供的Runset進(jìn)行局部修改或者優(yōu)化，同樣需要招聘Runset工程師。

(資料圖)

不過(guò)，在招聘過(guò)程中，用人單位感覺(jué)到要找到合適的Runset工程師并不容易，主要原因是：Runset開發(fā)是一個(gè)很窄的領(lǐng)域，在高校微電子專業(yè)中并不設(shè)置這類課程，高校剛畢業(yè)的學(xué)生很難有該領(lǐng)域的工作經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)，在人才提供端，大部分微電子專業(yè)的學(xué)生更愿意從事IC設(shè)計(jì)工作，而不愿意從事Runset開發(fā)工作。

由于以上原因：國(guó)內(nèi)Runset開發(fā)領(lǐng)域就出現(xiàn)了用人單位找不到合適的應(yīng)聘人員、高校學(xué)生不原因從事該項(xiàng)工作的尷尬狀況，如何破解這個(gè)難題呢？

首先分析一下該領(lǐng)域?qū)こ處熑藬?shù)的需求，目前中國(guó)大陸大約有20個(gè)左右的Foundry廠商，假設(shè)每個(gè)公司需要10名工程師，則累計(jì)需要200多名專職的工程師。除此之外，IC Fabless設(shè)計(jì)公司僅有少數(shù)公司有兼職工程師的需求，即該工程師不僅需要會(huì)Runset開發(fā)及QA，還要從事IC設(shè)計(jì)工作。這類公司數(shù)目大約有100個(gè)，假設(shè)每個(gè)公司需要1人，則累計(jì)也需要100人左右。2類公司合計(jì)總?cè)藬?shù)需求為300名左右。

從上述數(shù)據(jù)可以看到，在人才供給端，一個(gè)全國(guó)合計(jì)僅有幾百人需求的領(lǐng)域，任何高校都不會(huì)專門設(shè)置這樣一個(gè)專業(yè)來(lái)進(jìn)行培訓(xùn)。在人才需求端，用人單位的策略是：既然不能直接找到有經(jīng)驗(yàn)的工程師，就干脆找應(yīng)屆畢業(yè)生，然后公司通過(guò)內(nèi)部培訓(xùn)來(lái)逐步提升工程師的水平。

看上去，這個(gè)策略也不錯(cuò)。但是，用人單位內(nèi)部培訓(xùn)有一個(gè)問(wèn)題：內(nèi)部?jī)?nèi)容偏重于實(shí)用化操作，比較忽視理論和原理的培訓(xùn)。這個(gè)問(wèn)題在IC設(shè)計(jì)的其它領(lǐng)域并不突出，原因是：高校的微電子領(lǐng)域課程中有大量的理論和原理的學(xué)習(xí)，針對(duì)IC設(shè)計(jì)本身的原理，學(xué)生在學(xué)習(xí)期間已經(jīng)掌握得很好了，到了工作崗位上，他重點(diǎn)是進(jìn)行實(shí)用化工程和學(xué)習(xí)和應(yīng)用。而在Runset領(lǐng)域，由于招聘的學(xué)生在該領(lǐng)域既沒(méi)有理論基礎(chǔ)，也沒(méi)有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，他工作后要快速提高自己的水平有一定局限性。

為了解決上述問(wèn)題，我們開發(fā)了一個(gè)專門針對(duì)Foundry新入職工程師的Runset培訓(xùn)教材，對(duì)Foundry新入職工程師培訓(xùn)。

學(xué)員如有需要對(duì)應(yīng)的教材，演示，工具等，可以發(fā)郵件至support@microscapes.com.cn

通過(guò)上述培訓(xùn)，達(dá)到如下目標(biāo)：

1. 用人單位新招聘的員工，可較快投入項(xiàng)目開發(fā)工作，減少內(nèi)部培訓(xùn)時(shí)間。

2. 新招聘員工經(jīng)過(guò)培訓(xùn)后，理論和實(shí)踐水平較高，今后在解決公司技術(shù)難題，提升公司技術(shù)水平方面有較大潛力。

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導(dǎo)論：

目前，國(guó)內(nèi)IC公司對(duì)Runset開發(fā)和QA有需求的公司主要分為2大類：第一類是Foundry內(nèi)部的Runset團(tuán)隊(duì)，需要招聘合適的工程師進(jìn)行該項(xiàng)工作。第二類是Fabless設(shè)計(jì)公司，他們需要對(duì)Foundry提供的Runset進(jìn)行局部修改或者優(yōu)化，同樣需要招聘Runset工程師。

不過(guò)，在招聘過(guò)程中，用人單位感覺(jué)到要找到合適的Runset工程師并不容易，主要原因是：Runset開發(fā)是一個(gè)很窄的領(lǐng)域，在高校微電子專業(yè)中并不設(shè)置這類課程，高校剛畢業(yè)的學(xué)生很難有該領(lǐng)域的工作經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)，在人才提供端，大部分微電子專業(yè)的學(xué)生更愿意從事IC設(shè)計(jì)工作，而不愿意從事Runset開發(fā)工作。

由于以上原因：國(guó)內(nèi)Runset開發(fā)領(lǐng)域就出現(xiàn)了用人單位找不到合適的應(yīng)聘人員、高校學(xué)生不原因從事該項(xiàng)工作的尷尬狀況，如何破解這個(gè)難題呢？

為了解決上述問(wèn)題，我們開發(fā)了一個(gè)專門針對(duì)Foundry新入職工程師的Runset培訓(xùn)教材，對(duì)Foundry新入職工程師培訓(xùn)。

通過(guò)上述培訓(xùn)，達(dá)到如下目標(biāo)：

1、用人單位新招聘的員工，可較快投入項(xiàng)目開發(fā)工作，減少內(nèi)部培訓(xùn)時(shí)間。

2、新招聘員工經(jīng)過(guò)培訓(xùn)后，理論和實(shí)踐水平較高，今后在解決公司技術(shù)難題，提升公司技術(shù)水平方面有較大潛力。

DRC Runset培訓(xùn)1：

用來(lái)描述工藝規(guī)則文件的Design Rule的具體形式是什么？如何把文字和圖示結(jié)合起來(lái)理解，它的顯示含義和隱含含義如何分析？

最小寬度檢查為什么默認(rèn)需要寫Singular, Abut < 90的選項(xiàng)，如果不寫，會(huì)導(dǎo)致什么問(wèn)題?

最大寬度檢查為什么不能直接寫“大于”號(hào)？它的常用三種檢查方法的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

本課程提供了與培訓(xùn)內(nèi)容相對(duì)應(yīng)的運(yùn)行實(shí)例，學(xué)員可以聯(lián)系課程最后一頁(yè)的郵箱來(lái)下載用例。

DRC Runset培訓(xùn)2：

最大間距檢查的“孫悟空跳不出如來(lái)佛掌心”是什么含義？為什么通過(guò)size step inside of layer可以實(shí)現(xiàn)該思路？

measure all的選項(xiàng)在哪些條件下使用？為什么nwell和deep nwell的間距檢查需要用到該選項(xiàng)？還有哪些檢查需要用到該選項(xiàng)？

復(fù)合層的距離檢查書寫需要有哪些注意事項(xiàng)？

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DRC Runset培訓(xùn)3：

Enclosure檢查在哪些條件下需要寫outside also?

End of Line的Enclosure如何實(shí)現(xiàn)？

Extension和Enclosure有什么差別，為什么要定義2個(gè)不同的檢查單詞？Extension的露頭剛好等于0如何查錯(cuò)？

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DRC Runset培訓(xùn)4：

Flatten和hierarchical檢查有哪些不同？它的基本原理是什么？投影法和提升法的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

RectangleEnclosure的具體含義是什么？如何自動(dòng)構(gòu)造testpattern來(lái)檢查該規(guī)則？

寬金屬檢查的基本思路是什么？如何通過(guò)xcal工具來(lái)分析復(fù)雜語(yǔ)句的layer依賴關(guān)系，如何快速讀懂復(fù)雜語(yǔ)句？

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DRC Runset培訓(xùn)5：

Runlengthspacing的含義是什么？如何實(shí)現(xiàn)該語(yǔ)句？如何自動(dòng)構(gòu)造test pattern來(lái)檢查該規(guī)則？

LineEnd spacing的含義是什么？如何實(shí)現(xiàn)該語(yǔ)句？如何自動(dòng)構(gòu)造test pattern來(lái)檢查該規(guī)則？

與連接性相關(guān)的檢查語(yǔ)句如何書寫？如何自動(dòng)構(gòu)造test pattern來(lái)檢查該規(guī)則？

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DRC Runset培訓(xùn)6：

密度檢查Density的全局檢查和局部檢查有何不同？如何實(shí)現(xiàn)該語(yǔ)句？如何自動(dòng)構(gòu)造test pattern來(lái)檢查該規(guī)則？

天線檢查的具體含義是什么？漸進(jìn)式連接的用途是什么？有無(wú)二極管的條件下，如何檢查規(guī)則是否滿足？如何實(shí)現(xiàn)該語(yǔ)句？如何自動(dòng)構(gòu)造test pattern來(lái)檢查該規(guī)則？

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DRC Runset培訓(xùn)7：

復(fù)雜器件的DRC規(guī)則如何書寫？對(duì)應(yīng)的test pattern如何自動(dòng)構(gòu)造？sample gds的圖形如何準(zhǔn)備，可以自動(dòng)變換device的每個(gè)圖形之間的距離嗎？

PVS與Calibre的語(yǔ)法有何不同？可以一一對(duì)應(yīng)翻譯嗎？

針對(duì)先進(jìn)工藝，離散點(diǎn)的檢查如何實(shí)現(xiàn)？double pattern的檢查如何實(shí)現(xiàn)？

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DRC Runset培訓(xùn)8：

如何通過(guò)樹形結(jié)構(gòu)圖查看DRC Code的layer依賴關(guān)系？

如何自動(dòng)分析DRC Code的原始層是否與testpattern的原始層一致？

如何自動(dòng)顯示DRC Code的每個(gè)中間層的計(jì)算結(jié)果？

DRC Runset培訓(xùn)9：

什么是DRC檢查的條件參數(shù)？

如何構(gòu)造test pattern來(lái)檢查條件參數(shù)？

Scout工具如何自動(dòng)生成條件參數(shù)的testpattern?

Density Box， Density Diff的含義？

圓形圖形和圓環(huán)形圖形如何自動(dòng)生成test pattern?

LVS Runset培訓(xùn)1：

Design rule如何描述LVS器件，如何理解其含義？

版圖中的連接關(guān)系是如何建立的？connect語(yǔ)句的屏蔽效應(yīng)如何理解？MIM結(jié)構(gòu)中的Via如何通過(guò)屏蔽效應(yīng)體現(xiàn)連接？

Mos管的識(shí)別層是什么含義？Pin層是什么含義？Property如何計(jì)算？

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LVS Runset培訓(xùn)2：

Attach語(yǔ)句如何書寫，如何驗(yàn)證其正確性？

Mos管的nrd, nrs, sa, sb, sc, sca, scb, scc等參數(shù)如何書寫？如何驗(yàn)證這些參數(shù)是否準(zhǔn)確？

如何通過(guò)前后仿真來(lái)驗(yàn)證LVS runset的書寫正確性？

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LVS Runset培訓(xùn)3：

自定義器件和內(nèi)置器件有何不同，如何書寫自定義器件，如何驗(yàn)證其正確性？

LAYER QA的含義是什么？為什么要驗(yàn)證器件的識(shí)別層是否滿足了must layer和non layer的定義？如何通過(guò)自動(dòng)工具驗(yàn)證？

LVS 檢查中的ERC主要檢查哪些內(nèi)容，如何自動(dòng)檢查？

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LVS Runset培訓(xùn)4：

當(dāng)采用LVS_CHECK選項(xiàng)時(shí)，由于MOS管只有W, L的參數(shù)，在底層的hcell單元中就可以計(jì)算得到W,L的參數(shù)，不需要把該mos管提升到上層單元中。

如果選擇了RC_CHECK，由于MOS管計(jì)算SA, SB, SC等需要用到nwell, nsd,psd等更多的layer圖形，這些圖形在底層的hcell中并不是完整的，需要把mos管提升到上層cell中才可以提取正確。

LVS Runset培訓(xùn)5：

如果沒(méi)有pcell庫(kù)，該如何對(duì)LVS Runset進(jìn)行驗(yàn)證？

如何在scout工具中設(shè)置LVS器件的模板，自動(dòng)變化尺寸

如何在scout工具中自動(dòng)生成gds和cdl的test pattern，并自動(dòng)驗(yàn)證其正確性？

針對(duì)任意器件類型的LVS驗(yàn)證。

RCX Runset培訓(xùn)1：

寄生參數(shù)提取的三維和準(zhǔn)三維基本原理是什么？為什么準(zhǔn)三維的精度有誤差？

如何描述工藝的cross view的截面圖？

3種主流寄生參數(shù)提取工具的工藝描述格式介紹。

如何運(yùn)行3種主流寄生參數(shù)提取工具？

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RCX Runset培訓(xùn)2：

如何驗(yàn)證寄生參數(shù)提取的Runset是否準(zhǔn)確？

Beol的test pattern是什么結(jié)構(gòu)？組合參數(shù)有哪些？精度如何比較？

Meol的test pattern包含了哪些器件？如何通過(guò)pcell自動(dòng)生成這些pattern? 如何分析忽略內(nèi)部電容和不忽略內(nèi)容電容的結(jié)果？

如何通過(guò)自動(dòng)化的軟件進(jìn)行寄生參數(shù)精度分析？

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RCX Runset培訓(xùn)3：

一個(gè)典型的模擬電路例子，通過(guò)不同的準(zhǔn)三維工具和三維工具進(jìn)行提取，誤差達(dá)到了30%，該如何分析這些誤差？

如何避免由于LVS layer的圖形overlap定義導(dǎo)致的寄生參數(shù)重復(fù)提取的問(wèn)題？

Conformal結(jié)構(gòu)描述犯錯(cuò)的一個(gè)典型用例。

由于沒(méi)有忽略器件內(nèi)部寄生電容導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確的典型用例。

5個(gè)corner中，RCbest, RCworst的具體含義。

先進(jìn)工藝中11個(gè)corner中的CCworst, CCbest的具體含義。

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RCX Runset培訓(xùn)4：

如何在版圖中直觀看到每個(gè)寄生參數(shù)線網(wǎng)的所有圖形？

如何通過(guò)圖形直接看到它對(duì)應(yīng)的寄生參數(shù)？

如何分析版圖中距離比較近的圖形的預(yù)估耦合電容是否與提取結(jié)果吻合？

Vgds工具如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)上述功能？如何使用該工具的上述功能？

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RCX Runset培訓(xùn)5：

什么是3D IC， 什么是TSV? 晶圓堆疊的典型應(yīng)用圖示。

主流工具在針對(duì)TSV寄生參數(shù)提取時(shí)的3個(gè)弱點(diǎn)，如何克服？

單個(gè)TSV的寄生電容如何考慮耗盡層導(dǎo)致的不同電壓下電容值不同？

多個(gè)TSV的寄生電容如何快速通過(guò)場(chǎng)求解器計(jì)算？

多個(gè)晶圓提取出的網(wǎng)表如何自動(dòng)合并？什么是基于線網(wǎng)名的合并？什么是基于晶體管提取的坐標(biāo)合并？二者應(yīng)用背景是什么？

針對(duì)多個(gè)晶圓堆疊的典型計(jì)算案例分析。

三維堆疊寄生參數(shù)提取全流程總結(jié)，解決了主流EDA工具不能解決的弱點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)EDA工具自主可控。

RCX Runset培訓(xùn)6：

RCX Runset驗(yàn)證中為什么要引入RC simplify的概念？

RC Simplify針對(duì)寄生電阻短路，寄生電容開路的方法。

圖形化工具plumb運(yùn)行的方法和檢查結(jié)果分析。

RCX Runset培訓(xùn)7：

一般情況下，采用RC模式是一個(gè)折衷的模式，既可以滿足精度需求，又能滿足效率要求。

如果想進(jìn)一步優(yōu)化精度或者效率，則通過(guò)具體指定線網(wǎng)名來(lái)選擇不同線網(wǎng)的提取模式，從而更準(zhǔn)確地控制每個(gè)節(jié)點(diǎn)的提取精度和效率。

RCX Runset培訓(xùn)8：

如何對(duì)Via的寄生電容進(jìn)行自動(dòng)驗(yàn)證？

當(dāng)Via的尺寸不同，電阻率不同時(shí)，如何驗(yàn)證其準(zhǔn)確性？

如何實(shí)現(xiàn)層次化提取的自動(dòng)驗(yàn)證？

DFM Runset培訓(xùn)1：

DFM命令的用途是什么？為什么引入DFM命令，它與普通命令的不同在哪里？

DFM Property命令的語(yǔ)法及基本含義，單層命令和雙層命令的不同在哪里？

DFM Runset培訓(xùn)2：

DFM命令常用的測(cè)量函數(shù)有哪些？

EC和EW的函數(shù)用法是什么？

NETID函數(shù)的用法是什么？

NETPROPERTY函數(shù)的用法是什么？

DFM Stamp的用法是什么？

DFM Runset培訓(xùn)3：

DFM Space與普通的INT/EXT/ENC檢查有哪些不同？

DFM的ECMAX的用法是什么？

如何利用DFM命令查中心線對(duì)齊的檢查？

如何利用DFM命令計(jì)算有源區(qū)的累加面積？

DFM Runset培訓(xùn)4：

DFM Space與普通的INT/EXT/ENC檢查有哪些不同？

DFM的ECMAX的用法是什么？

如何利用DFM命令查中心線對(duì)齊的檢查？

如何利用DFM命令計(jì)算有源區(qū)的累加面積？

Pcell QA培訓(xùn)：

Pcell的驗(yàn)證主要檢查哪些內(nèi)容？

如何自動(dòng)獲得pcell的cdf參數(shù)的最大值和最小值？

如何進(jìn)行Full Parameter的檢查?

如何進(jìn)行Connectivity的檢查？

如何進(jìn)行Layer QA的檢查？

如何進(jìn)行Simulation QA的檢查？

Latch up Rule 規(guī)則：

常見的Latch up Rule的幾何結(jié)構(gòu)。

阻擋檢查或者隔離檢查為什么比較難以書寫Runset?

為什么需要引入Find Closest Region的命令來(lái)書寫阻擋檢查？

正對(duì)的阻擋和斜對(duì)阻擋分別如何檢查？

如何實(shí)現(xiàn)Latch up Rule的完整檢查？

Latch up Rule 規(guī)則2：

如何用主流工具的DFM Space實(shí)現(xiàn)Latch up Rule?

它需要用到多條組合命令，有哪些隱患？

如何克服組合命令的隱患？

DPW計(jì)算Wafer中可以放置多少個(gè)die：

Wafer中計(jì)算die個(gè)數(shù)的參數(shù)有哪些？

如何模擬foundry的工藝加工參數(shù)得到die個(gè)數(shù)?

DPW工具的基本功能有哪些？

采用擬合方法計(jì)算案例分析。

Memory Compiler如何定制開發(fā)

開發(fā)一個(gè)獨(dú)立的memory compiler需要用到哪些步驟？

Gds的自動(dòng)拼接腳本如何書寫？

Cdl的自動(dòng)拼接腳本如何書寫？

如何對(duì)memory自動(dòng)做仿真？

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